下一代同步整流控制技術增強電源運行參數

在當今的高性能的電源系統設計中，確保可靠性至關重要，因此高效的功能必須可以處理潛在的問題。同步整流電流反向就是這樣一個問題。這發生在電容電流（寄生效應引起的）導致MOSFET在輕負載的情況下被過早激活時–然后反向電流從輸出電容流回同步整流器。這不僅導致系統能效受到嚴重影響，還可能會導致運行故障。

 

為了防止這種情況的發生，必須在系統處于輕載條件時采取措施增加延遲。自適應死區時間控制機制可以彌補寄生電感的存在，從而減輕體二極管導通的不良影響。通過這種方法，可以調整同步整流器關斷點，以保持一個恒定的死區時間，而不受當時輸出負載的影響。從而持續保持高能效和對相應的熱管理規定更少的要求（由于散熱的減少）。

 

得益于專有的自適應死區時間控制算法，安森美半導體的FAN6248雙MOSFET驅動器控制器IC，能夠充分解決上述挑戰。同時，它可以幫助工程師最大化電源能效，并使系統盡可能緊湊、簡單和具性價比。

 

該器件優化用于現代LLC諧振轉換器拓撲結構，最大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導。它通過使用一個獨特的控制方法，消除了電流反向的隱患，還可以避免同步整流誤觸發。通過兩個感測輸入，可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓，從而考慮到關于次級繞組的任何不對稱或不良耦合。如果經證實死區時間太長，那么偏置電壓相應降低。從而提高MOSFET的電壓閾值，繼而使同步整流器的導通時間延長（因此縮短相關的死區時間）。反之，如果死區時間太短，則降低MOSFET的電壓閾值，從而抑制同步整流器的導通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統的電源能效，和實現在整個負載范圍內的穩定運行（無電流反向的風險）。