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AOI發布400mW超高功率激光器,加速800G CPO架構商用進程

來源:Ringier 發布時間:2025-12-26 1144
工業激光激光設備零部件光學材料與元件 技術前沿產業動態
這款歷時數年研發的400mW激光器,解決了因激光器線寬過寬或噪聲系數過高而限制性能的應用場景。它能直接接入半導體芯片級系統,為超大規模數據中心運營商提供穩定可靠的高性能光源,適用于共封裝光學、硅光子學及其他對單一穩定波長精度與功率有嚴苛要求的領域。

近期,Applied Optoelectronics Inc.(AOI)宣布推出一款新型400mW窄線寬泵浦激光器,旨在滿足人工智能數據中心對硅光技術與共封裝光學技術日益增長的需求。該公司是光通信與混合光纖同軸網絡產品的領先供應商,其產品為互聯網提供核心動力。

 

 

這款歷時數年研發的400mW激光器,解決了因激光器線寬過寬或噪聲系數過高而限制性能的應用場景。它能直接接入半導體芯片級系統,為超大規模數據中心運營商提供穩定可靠的高性能光源,適用于共封裝光學、硅光子學及其他對單一穩定波長精度與功率有嚴苛要求的領域。該400mW激光器驅動的芯片還可作為高效外部光源,為多路光通信信道提供必要的泵浦功率。

 

核心優勢包括:

  • 滿足800G/1.6T功耗預算:提供充足光功率以克服耦合、分路及路由損耗,同時確保AI交換機專用集成電路附近的熱量不超限
  • 支持共享與外部激光架構:通過單一集中式光源,可穩定為多路硅光子通道或多波長提供能量輸入
  • 增強硅光子器件穩定性:最大限度降低環形調制器、微環激光器及片上非線性元件的波長漂移與噪聲

 

提升系統良率與運行穩定性:減少校準工作量,簡化波長鎖定流程,并在系統擴展時保持各通道性能的一致性。

 

關鍵性能規格:

  • 采用AOI成熟可靠的掩埋異質結結構激光器平臺,基于分布反饋式激光技術
  • 在50°C工作溫度下輸出光功率超400mW
  • 具備窄線寬特性

 

“先進架構需要高性能光源支撐。過去數年間,我們持續優化技術指標以打造能滿足當前光網絡需求、并專門支持未來共封裝光學架構的超高功率激光器,”AOI高級副總裁兼北美區總經理Fred Chang表示,“這項新技術將激光器的功率、相干性與穩定性標準提升至全新高度,為客戶提供解鎖可擴展光輸入輸出能力、簡化系統設計、加速行業向800G及以上共封裝光學轉型的理想解決方案。”

 

目前該產品已向部分客戶提供樣品,預計將于2026年下半年實現大規模量產。

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