美國加州時間2026年4月1日，SEMI在最新發(fā)布的《300mm晶圓廠展望報告》（300mm Fab Outlook）中指出，全球300mm晶圓廠設備支出預計2026年將增長18%至1330億美元，2027年將增長14%至1510億美元。這一強勁增長反映了數據中心和邊緣設備對AI芯片需求的激增，以及各主要地區(qū)通過本地化產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應鏈重組來加強半導體自給自足能力的堅定承諾。

展望未來，報告預計投資將在2028年繼續(xù)增長3%至1550億美元，2029年再增長11%至1720億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“AI正在重塑半導體制造投資的規(guī)模，隨著全球300mm晶圓廠設備支出預計在2027年首次突破1500億美元，行業(yè)正以史無前例的持續(xù)性的投入，著力構建AI時代所需的先進產能與韌性供應鏈。”

細分領域增長

Logic和Micro領域預計將在2027年至2029年以總投資2280億美元領跑設備擴張，主要得益于強勁的晶圓代工行業(yè)需求，以及2nm以下尖端制程產能投資的推動。先進制程技術對于提升芯片性能和能效至關重要，以滿足各類AI應用嚴格的芯片設計要求。預計從2027年到2029年，更多先進制程技術將進入量產階段。此外，AI性能的提升預計將推動各類邊緣AI設備的大規(guī)模增長。除先進制程外，所有制程節(jié)點和各類電子設備的需求預計將溫和增長，這也支撐了對成熟制程的投資。

Memory領域預計將成為設備支出第二大領域，2027年至2029年總計將達1750億美元。這一時期標志著該領域新一輪增長周期的開始。其中DRAM設備支出預計在2027年至2029年累計將達1110億美元，而3D NAND設備支出同期預計為620億美元。

由于AI訓練和推理需求的推動，memory需求顯著增加。AI訓練顯著推高了對高帶寬存儲器（HBM）的需求，而模型推理則對存儲容量產生了大量需求，從而推動了數據中心NAND閃存應用的增長。這一強勁需求使得memory供應鏈在近期和中長期保持高水平投資，有助于緩解傳統(tǒng)存儲周期波動可能帶來的潛在下滑。

區(qū)域投資趨勢

2027年至2029年，全球300mm晶圓廠設備投資預計將廣泛覆蓋主要半導體制造區(qū)域，反映了先進制程擴張、memory產能增加以及政策支持下的供應鏈本地化等多種因素的綜合影響。中國大陸、中國臺灣、韓國和美洲地區(qū)在此期間均將迎來大規(guī)模投資，而日本、歐洲與中東、東南亞地區(qū)也將從較小的基數繼續(xù)擴大投資。

在中國大陸，投資預計將繼續(xù)受益于國家政策的支持和推動。在中國臺灣地區(qū)，支出預計主要由先進晶圓代工產能的持續(xù)擴張所驅動，包括2nm及以下技術。韓國的投資仍與memory密切相關，AI相關需求正在支持新一輪產能和技術升級周期。在美洲地區(qū)，支出預計將由先進制程擴張和加強本土制造生態(tài)系統(tǒng)的更廣泛努力所支撐。

日本、歐洲與中東、東南亞地區(qū)預計到2029年也將實現(xiàn)顯著增長。在這些地區(qū)，設備投資得到政府激勵措施、供應鏈韌性戰(zhàn)略以及擴大半導體制造產能的針對性努力的共同支持。

作為SEMI Fab Forecast數據庫的一部分，SEMI《300mm晶圓廠展望報告》（300mm Fab Outlook）涵蓋全球404座設施和產線，該報告反映了自上次2025年12月發(fā)布以來的198項更新和9個新增晶圓廠/生產線項目。